1000 ganger raskere minnebrikker fra Samsung

Samsung skal ha greid å utvikle en teknologi for å produsere en ikke-flyktig minnetype som er skal være tusen ganger raskere enn dagens minnekort.

Ifølge The Korea Times skal Samsung denne uken ha oppgitt at selskapet har funnet en metode for å produsere en ny type minnebrikker som kalles Phase Change Random Access Memory (P-RAM).

    Les også:

Denne minnetypen skal prosessere data tusen ganger raskere enn eksisterende minnebrikker. Brikkene skal kunne lagre data i minst 20 år, selv ved temperaturer på 70 grader Celsius, og brukes opptil 2 milliarder ganger.

Én bit med data lagres i brikkene når avbildninger i minnet endres fra en amorf tilstand til en krystallinsk struktur. Metoden er basert på vanlig CMOS-teknologi (Complementary Metal Oxide Semiconductor), som skal være enkle å produsere og å ta i bruk.

Det er ventet at brikkene med den nye teknologien vil erstatte NOR-baserte flashminnebrikker som i dag brukes i blant annet mobiltelefoner, så snart de nye brikkene kommer på markedet. Men det er ikke oppgitt når dette vil skje.

– Fremmede makter angriper oss daglig

Hør professor Olav Lysne og direktør Bjørn Erik Thon i Datatilsynet diskutere personvern, rikets sikkerhet og det digitale grenseforsvaret i vår nye podkast «Dobbeltklikk».

Til toppen