Flashminnebrikker og SD-kort basert på 20 nanometers prosessteknologi. (Bilde: Samsung)

Åpner for raskere og billigere flashminne

Samsung klar med neste generasjons brikketeknologi.

Samsung Electronics kunngjorde i dag verdens første produksjon av NAND-brikker basert på 20 nanometers prosessteknologi. Brikkene er egnet for bruk i blant annet flashminnekort og i integrerte minneløsninger.

Basert på den nye prosessteknologien har Samsung utviklet 32 gigabit MLC (Multi-level Cell) NAND-brikker som brukes i minnekort med kapasitet på mellom 4 og 64 gigabyte.

Nyheten kommer omtrent et år etter at Samsung startet opp produksjon med 30 nanometers prosessteknologi.

- Den nye 20 nm-klassen med NAND er ikke bare et betydelig skritt videre i prosessdesign, men vi har tatt i bruk avanserte teknologier som vil for betydelig innovasjon innen ytelse, sier Soo-In Cho, president for minnedivisjonen til Samsung Electronics, i en pressemelding.

Ifølge Samsung skal de nye MLC NAND-brikkene ha produktivitetsnivå som er 50 prosent høyere enn brikker i 30 nm-klassen. Kort med åtte gigabyte kapasitet og høyere skal være 30 prosent raskere enn tilsvarende kort basert på 30 nm-teknologi.

Flashminnebrikker og SD-kort basert på 20 nanometers prosessteknologi.
Flashminnebrikker og SD-kort basert på 20 nanometers prosessteknologi. Bilde: Samsung

Samsung har nå begynt å levere testeksemplarer av SD-kort basert på de nye flashminnebrikkene til kunder. Selskapet vil starte masseproduksjon av brikkene senere i år.

Til toppen