Dobbelt gjennombrudd for nye prosessorer

Både Intel og IBM har i helgen annonsert det samme, store gjennombruddet for framtidige prosessorer.

Tidligere Intel-sjef Gordon Moore kaller et nytt gjennombrudd Intel har gjort, for den største endringen som er blitt gjort innen transistorteknologi siden slutten av 1960-tallet.

Pussig nok sammenfaller annonseringen av dette gjennombruddet med en annonsering fra IBM som etter alt å dømme handler om nøyaktig det samme.

Det handler om nye materialer for å lage mindre, raskere og mer energisparende brikkekretser enn det som tidligere har vært mulig. Sentralt er teknologien som kalles "high-k metal gate", hvor et nytt material innføres i en kritisk del av transistoren, som kontrollere dens primære på/av-funksjon.

Intel har gått ut med langt mer informasjon enn IBM om den nye løsningen, så det kan detaljer i forklaringen nedenfor som bare gjelder Intels gjennombrudd.

For begge selskapene er det uansett klart at den nye løsningen vil være sentralt i overgangen til 45 nanometers prosessteknologi. Intel skal ta i bruk denne allerede i år, mens IBM - sammen med partnere som AMD, Sony og Toshiba - først vil innføre den i 2008.

Et problem med stadig mindre prosessteknologi er lekkasjestrømmer i det dielektriske området til styreelektroden (gate). Dette er laget av silisiumdioksid og skal ideelt fungere som en perfekt isolator, men med stadig mindre prosessteknologi, er tykkelsen blitt veldig redusert. I Intels 65 nanometers prosess er laget bare 5 atomer tykt. Dermed lekker strøm gjennom. Dette fører til at transistoren ikke oppfører seg som den skal, i tillegg til at strømforbruket øker.

Det nye materialet, som kalles high-k på grunn av grunn den høye dielektriske konstanten (κ), skal løse disse problemene. Den dielektriske konstanten forteller hvor godt et materiale kan lagre ladning. Dette materialet skal kunne lages tykkere enn silisiumoksid og skal og ha gode isolerende egenskaper, noe som skal bidra til å redusere lekkasjestrømmen med inntil 90 prosent, ifølge Intel. Intels high-k-materiale er delvis basert på grunnstoffet hafnium.

Men fordi den high-k-baserte gate-isolatoren ikke er kompatibel med dagens silisiumbaserte gate-elektrode, har Intel også måttet lagre en ny styreelektroden av nye, metallbaserte materialer. Hvilke metaller det er snakk om, holder Intel hemmelig.

- Implementeringen av high-k og metallmaterialene er den største endringen i transistorteknologien siden introduksjonen av MOS-transistorer med polysilisium-gate på slutten av 1960-tallet, sier Gordon Moore i en pressemelding.

Til toppen