Doblet fart i krympet mobilminne

En ny generasjon mobilminne fra Intel gir avanserte mobiler større muligheter.

Intel melder at de har innledet volumproduksjon av en ny generasjon mobilminne etter arkitekturen StrataFlash Cellular Memory, også kjent som M18.

Den ny generasjonen avløser M18-brikkene som kom i volumproduksjon for nesten nøyaktig ett år siden.

I den nye generasjonen er produksjonsprosessen oppgradert fra 90 nanometer til 65 nanometer. Det gjør minnebrikkene både mindre og raskere: I forhold til i 90 nanometers brikkene er skrivehastigheten doblet til opptil 1,0 MB/s.

Den første volumproduksjonen omfatter de første monolittiske 1 Gb-minnebrikkene etter M18-arkitekturen. For å nå 1 Gb med forrige generasjon, måtte flere brikker stabler oppå hverandre.

Produsentene av mobiltelefoner vil kunne utnytte de nye brikkene til å gjøre apparatene enda slankere selv når internminnet økes, til å tilby rikere multimediafunksjoner, og til å redusere strømforbruket. Mens forrige generasjon minnebrikker kun håndterte kameraer på opptil 3 megapiksler, kan de nye brukes til opptil 4 megapiksler per bilde.

Intel samarbeider med STMicroelectronics om M18-arkitekturen. Blant de store kundene, er Sony Ericsson.

    Les også:

Til toppen