Toshiba og SanDisk annonserte denne uken en NAND-basert flashminnebrikke med lagringskapasitet på 8 gigabits lagringskapasitet ved hjelp av 70 nm prosessteknologi. Dette gjør det mulig å lagre 1 gigabyte med data i en enkel brikke.
Det nye NAND-baserte flashminne tar i bruk MLC-teknologi, Multi-Level Cell, som gjør det mulig å lagre to bits med data i én eneste minnecelle. Dette dobler minnekapasiteten. Samtidig har selskapene greid å redusere plassbehovet, slik at brikkene basere er fem prosent større enn dagens 4 gigabits NAND-brikker basert på 90 nm prosessteknologi.
Den nye brikken måler 146 kvadratmillimeter og har tre milliarder transistorer per kvadratcentimeter.
Skrivehastigheten oppgis til å være 6 megabytes per sekund, mens lesehastigheten skal være 60 MB/s.
Selskapene regner med å starte produksjonen av den nye brikken i løpet av sommeren. Selskapene tror at den nye brikken vil bli deres nye "arbeidshest" innen produksjonen av flashminne-produkter, slik som flashminnebaserte lagringskort.
Selskapene oppgir ikke hvor stor kapasitet lagringskort basert på de nye brikkene kan få, men 16 GB bør i alle fall være innen rekkevidde.
