Enda en dobling av kapasitet på flashminne

Samsungs nyeste teknologi vil gi minnekort til kamera og mobil på 128 GB.

En trend i IT-industrien er at man aldri kan få for mye lagringsplass. Derfor forskes det stadig på å skaffe til veie lagringsløsninger som rommer mer enn tidligere, gjerne til en tilsvarende eller lavere pris.

Samsung skriver i en pressemelding denne uken at den maksimale lagringskapasiteten til flashminne-brikker nå er blitt doblet for syvende år på rad, siden 1 gigabit NAND-brikkene basert på 100 nanometers prosessteknologi ble utviklet i 2001.

    Les også:

Nå har selskapet utviklet en 64 gigabit NAND-brikke av typen MLC (Multi Level Cell) som er basert på 30 nanometers prosessteknologi. Ved å kombinere inntil 16 slike brikker, vil man kunne lage minnekort som rommer 128 gigabytes. Disse kan selges separat til for eksempel kameraer, eller integreres i alt fra multimediespillere til SSD-er (Solid State Drive) og hybride harddisker.

For å oppnå dette, har Samsung tatt i bruk en ny produksjonsprosess som kalles SaDPT (self-aligned double patterning technology). Teknologien skal fjerne en kritisk flaskehals knyttet til utformingen av 30 nm-kretser og mindre, ved i større grad å benytte tradisjonelle fotolitografiteknikker i produksjonsprosessen. Dette ventes å gjøre neste generasjons design i nanometer-skalaen mer kosteffektive, ved at det konvensjonelle utstyret kan benyttes.

Samsung forventer å kunne tilby de nye flashminnebrikkene kommersielt i løpet av 2009.

Til toppen