PLEDM (Phase-state Low Electron(hole)-number Drive Memory), som den nye minnetypen kalles, er under utvikling ved Hitachis forskningslaboratorium ved Cambridge University. Minnetypen har en rekke fordelaktige egenskaper sammenlignet med dagens DRAM, inkludert lavere strømforbruk, høyere lese- og skrivehastigheter, større skalerbarhet og ikke-flyktig lagring. I tillegg skal brikkene kunne produseres ved hjelp av allerede eksisterende produksjonsutstyr og teknikker.
Ifølge The Register vil minnebrikker basert på PLEDM kunne ha såpass stor lagringskapasitet at de vil kunne erstatte harddisker. Brikkene skal også kunne brukes i bærbare enheter som mobiltelefoner og PDA-er. Ulempen er at det nok tar fem år før de første produktene kommer på markedet.
PLEDM er likevel bare én av flere teknologier for ikke-flyktig minne med stor lagringskapasitet. Også norske Opticom utvikler noe lignende. Trolig vil én av disse teknologiene bli standard minnetype i fremtidens datamaskiner. Pris, egenskaper og tidlig kommersiell tilgjengelighet er viktige faktorer når teknologien skal velges.
