IBM gjør viktig minnegjennombrudd

IBM gir IT-bransjen ny drahjelp med et gjennombrudd i utviklingen av internt prosessorminne.

IBM annonserte mandag at selskapet har bygget en minnekomponent som er på omtrent en tiendedel av størrelsen til det som nå er tilgjengelig, og mindre enn omtrent halvparten av størrelsen til den minste, eksperimentelle SRAM-cellen som til nå er blitt rapportert. Gjennombruddet vil på sikt kunne føre til en kraftig ytelsesøkning i datasystemer.

SRAM (Static Random Access Memory) er ifølge IBM en type minne som behøves i stadig større mengder i prosessorbrikkene i datamaskiner for å gi krevende applikasjoner innen banktjenester og digital media større ytelse. Samtidig er plassen som er tilgjengelig i disse prosessorene begrenset av kostnader og produksjonsbegrensninger, noe som ifølge IBM utgjør en betydelig teknisk utfordring.

SRAM er en type raskt minne som oppbevarer data uten ekstern oppfriskning så lenge de leveres strøm til kretsen. Hvert minne er en matrise av mange celler. En typisk SRAM-celle består av seks transistorer og fungerer som et lagringselement for en enkel bit. SRAM er mange ganger raskere enn tradisjonelt DRAM (Dynamic RAM), men tar samtidig mer plass. SRAM er viktig i forbindelse med lagring av kritiske data som rakst og ofte må kunne hentes av prosessoren.

Gjennom å bygge den nye SRAM-cellen hevder IBM at selskapet har bevist at det SRAM kan gjøres betydelig mindre i størrelse og samtidig fungere riktig. Dette skal åpne for at mer SRAM kan inkluderes i hver brikke.

Størrelsen på den nye SRAM-cellen er så liten at det vil være plass til 50.000 av dem på den sirkelformede enden av et menneskehår. Nøkkelfaktorer for IBMs gjennombrudd har vært en kombinasjon av elektronstråle- og optisk litografi.

Til toppen