BEDRIFTSTEKNOLOGI

IBM introduserer 0,01 mikron teknologi

IBM har klart å produsere datakretser på 1/18-del av dagens størrelse, men har ingen planer om å bruke teknologien til å redusere størrelsen på prosessorer.

Lars Kvanum
14. aug. 2000 - 12:50

IBM har klart, med hjelp fra forskningspartnerne UCLA og MIT, å utvikle kretser som er halvparten av størrelsen til det som ble regnet som grensen for hvor mye man kunne krympe kretser, skriver ZDNet.

Inntil nylig mente man at den fysiske grensen for hva som var mulig å krympe kretser til var 20 nanometer, eller 0,02 mikron. IBM har klart å produsere kretser som er så små som 0,01 mikron, altså halvparten av dette. Dagens teknologi bruker 0,18 og 0,15 mikron, noe som er henholdsvis hele 9 og 7,5 ganger større. Denne størrelsen, også kalt kanallengde, bestemmer hvor langt strøm må bevege seg for å komme igjennom en transistor. Mindre størrelse betyr større ytelse og hastighet.

Problemet med å lage små kretser er "cross-talk", at signaler "smitter" over til nærgående kretser. For en datakrets, som stort sett er bygget opp av transistorer, vil dette si at en krets kan hindre en nærliggende transistor i å slå seg av. Dette vil forstyrre brikkens funksjon og potensielt føre til store problemer.

IBMs nye teknologi, V-Groove, vil sterkt redusere denne formen for støy.

- Ved å bruke denne enkle teknikken kan vi lage kanaler som er 10 nanometer eller mindre, sier Phaedon Avouris, sjef for nanometer-teknologi ved IBM Research.

IBM sier til ZDNet at V-Groove-teknologien forbedrer dagens fotolitografiske produksjonsteknikk, der man først projiserer bildet av en transistor på en brikke, for så å fjerne overskuddsilisium. V-Groove bruker også kjemikalier for å utløse en anisotropisk kjemisk reaksjon som brenner silisium raskere enn tidligere teknikker og lager den såkalte V-Groove-kanalen. Kanaler som lages med denne teknologien er langt glattere enn de som er skapt med gammel teknologi. Derfor blir cross-talk-effekten, som er som en kortslutning å regne, kraftig svekket.

Det er risikoen for slik kortslutning som har vært grunnlaget for den hittil antatt teoretiske grensen på 20 nanometer, eller 0,02 mikron.

Ved hjelp av samarbeidspartnerne MIT og UCLA har IBM klart å lage test-transistorer med denne teknologien. IBM sier at eksperimentet beviser at det er mulig å bygge brikker med mindre kretser enn det som tidligere var antatt mulig.

- Alt i alt er vi veldig optimistiske. Dette er en metode for å studere transistorer i en veldig liten skala. Vi er ikke ute etter å produsere med denne teknologien, men prøver å få en meningsfull diskusjon rundt grensene for små enheter. Vi vil overlate dette til andre å sette inn i produksjon

Del
Kommentarer:
Du kan kommentere under fullt navn eller med kallenavn. Bruk BankID for automatisk oppretting av brukerkonto.