IBM: "Strukket" silisium gir raskere brikker

IBM har utviklet enda en ny teknologi for å temme halvledere. Silisium-atomene holdes kunstig langt fra hverandre, og elektronene beveger seg friere.

IBMs nyeste resultater innen halvlederteknologi legges fram på en forskningskongress i Kyoto i Japan. En ny metode bruker et spesielt lag til å spenne atomene i et underliggende lag av silisium. Silisium-atomene holdes kunstig langt fra hverandre, slik at elektronene beveger seg friere i materialet. Dette kalles "strained silicon", det vil si "tøyet" eller "strukket" eller "spent" silisium.

At elektronene beveger seg friere, betyr at de blir opptil 70 prosent raskere. Denne gevinsten kan tas ut på to måter: ytelse og strømforbruk. Brikkene kan gjøres enten kraftigere med samme energibehov, eller beholde ytelsen og redusere strømforbruket.

De første "spente" brikkene vil kunne settes i Power-drevne servere i løpet av 2003. Denne prosessoren har ennå til gode å komme seg forbi 1 GHz-merket. Den nye teknologien åpner for hastigheter opptil 5 GHz. "Tøyingen" vil gi 35 prosent større ytelsesøkning enn det den rene økningen i klokkefrekvens skulle tilsi.

Ved å bruke den samme teknologien på prosessorer beregnet på hånd-PC-er, vil det bli mulig, ifølge IBM, å framstille GHz-brikker med et energibehov på en halv watt. Det åpner blant annet for hånd-PC-er med så avansert talegjenkjenning at tastatur blir overflødig.

Til toppen