Intel annonserte onsdag at selskapet er det første selskapet som har nådd en viktig milepæl i utviklingen av 45 nanometers logikkteknologi. Selskapet har produsert det selskapet mener er den første fullt fungerende SRAM-brikken (Static Random Access Memory) som benytter 45 nanometers prosessteknologi.
De fleste databrikkene på markedet er i dag laget med 90 nanometers prosessteknologi eller større, selv om flere, inkludert Intel, har begynt å ta i bruk 65 nanometers teknologi i nyere produkter.
Intel mener at den nye milepælen betyr at selskapet er i rute til å produsere brikker med denne teknologien i 2007 ved å benytte 300 mm skiver.
Den kommende prosessteknologien skal redusere effektlekkasjen med minst 80 prosent, sammenlignet med dagens brikker. Dette vil kunne forbedre batteritiden til mobile enheter og redusere varmeutviklingen fra brikkene. Redusert varmeutvikling betyr også at systemer kan bygges mer kompakt, blant annet fordi behovet for kjøling reduseres.
SRAM-brikken som Intel nå har bygget, består av mer enn én milliard transistorer. Intel har ikke tenkt å lansere denne som et produkt, men mener den demonstrerer teknologiens ytelse, prosessutnyttelsen og påliteligheten til brikkene i forkant av at 45 nanometers prosessteknologien tas i bruk i forbindelse med produksjonen av andre typer brikker, inkludert prosessorer.
I tillegg til D1D-anlegget i Oregon, hvor den nye brikken er blitt utviklet, holder Intel på å bygge to nye fabrikker for masseproduksjon ved hjelp av den kommende prosessteknologien. Disse er Fab 32 i Arizona og Fab 28 i Israel.
