Intel demonstrerte rekordsmå minnebrikker

Intel har bygget fullt fungerende SRAM-brikker ved hjelp av 65 nanometers prosessteknologi.

Kappløpet om å lage stadig mindre transistorer i integrerte kretser går for fullt. Mandag annonserte Intel at selskapet har bygget fungerende SRAM-brikker (Static Random Access Memory) basert på 65 nanometers prosessteknologi. Dette er den neste generasjonen av Intels høyvolums produksjonsprosess for halvlederbrikker. Selskapet regner med å komme i gang med produksjon basert på denne prosessteknologien i løpet av 2005. Det vil da benyttes silisiumskiver med en diameter på 300 mm.

    Les også:

- Intel benytter SRAM-brikker for å teste prosessteknologien fordi slike brikker er enkle å designe og å feilsøke, men transistorene vil brukes i nye versjoner av produkter som Pentium 4 eller Xeon, sier Mark Bohr, Intels direktør for selskapets prosessarkitektur og integrasjon, til InfoWorld.

Intel skriver i en pressemelding at ved å benytte den nye prosessteknologien, kan selskapet doble antallet transistorer per brikke i forhold til hva som er mulig i dag.

- Med 65 nm-teknologien forlenger vi vår rekord med å produsere med en ny prosessgenerasjon hvert annet år. Faktisk er det bare 20 måneder siden vi oppnådde fullt fungerende SRAM-brikker basert på vår 90 nm-prosess, hvor produksjonen nå startes opp, sier Sunlin Chou, senior visepresident og daglig leder for Intels Technology and Manufacturing Group, i pressemeldingen.

Du finner flere detaljer om Intels nye prosessteknologi på denne siden.

Til toppen