Jernminne for mobilt utstyr

Toshiba og Infineon går sammen om å utvikle en ny type ferroelektrisk minnebrikke som er like rask som dynamisk og statisk RAM, men som ikke krever spenning for å bevare data.

I en felles pressemelding heter det at ferroelektrisk minne - FeRAM - er den kommende teknologien for minne. Infineon og Toshiba skal investere til sammen 60 millioner dollar for å forbedre teknologien med tanke på å få opp hastigheten og påliteligheten, og finne fram til metoder for å unngå metallforurensning av silisiumet under produksjonsprosessen. Toshiba har allerede produsert en 8 megabit FeRAM-brikke.

Partene regner med at en FeRAM-brikke vil kunne erstatte dagens løsninger der man pakker sammen statisk minne (SRAM) med en NOR flash minne. Enheten vil være minst like rask som SRAM-brikken, og vil kreve like lite strøm som flashminnet. Anvendelser blir først innen mobiltelefoner, deretter annet mobilt utstyr og kretskort.

En prototyp av en 32 megabit brikke skal være klar i mars 2001. Det tas sikte på markedslanseringen i slutten av 2002. På utviklingsprogrammet står også brikker på henholdsvis 64 og 128 megabiter.

Toshiba og Infineon har samarbeidet innen DRAM siden tidlig på 1990-tallet.

Til toppen