Innovative Silicon (ISi) annonserte i dag at prosessorprodusenten AMD skal lisensiere en minnetype oppfunnet av førstnevnte, som skal gjøre det mulig å putte dobbelt så mye cacheminne inn i blant annet prosessorbrikker uten å ta mer plass enn dagens løsninger.
Minnetype ISi har funnet opp, kalles Z-RAM eller Zero-Capacitor DRAM og ble annonsert for omtrent et år siden. Den benytter bare en enkelt transistor. Innebygd SRAM, som er den vanligste løsningen for innebygd minne, er ifølge ISi basert på en celle med seks transistorer. En annen løsning, innebygd DRAM, benytter bare én transistor og en enkelt kondensator. Denne tar langt mindre plass enn SRAM, men har lavere ytelse og krever typisk endringer i halvlederprosessen.
Z-RAM utnytter en effekt i SOI-enheter (Silicon On Insulator) som kalles Floating Body Effect, noe som gjør det mulig å lagre en tilstand uten bruk av en kondensatorbasert lagringsenhet. Fordi minnecellene bare bruker én eneste transistor, skal Z-RAM ifølge ISi ha typisk dobbelt så høy tetthet som innebygd DRAM og fem ganger så høy tetthet som innebygd SRAM.
Z-RAM skal ikke kreve noen form for eksotiske materialer eller ekstra maskeringstrinn.
Cacheminnet i dagens prosessorer utgjør ofte en stor del av den totale brikken, noe bildet nedenfor viser. Produksjonsprisen avhenger mye av størrelsen på selve silisiumbrikken, som cacheminnet i dag ofte utgjør halvparten av.
Foreløpig har ISi fått bekreftet at Z-RAM kan produseres med flere forskjellige prosessteknologier, inkludert 130 nm SOI, 90 nm SOI og FinFET. Selskapet planlegger senere dette kvartalet å demonstrere fungerende silisium i forbindelse med flere 65 nanometers prosesser.
AMD har kjøpt en lisens som tillater selskapet å benytte Z-RAM i kommende prosessorprodukter.
- Den dramatiske økningen i tetthet som tilbys av ISis innebygde Z-RAM-minne gjør det mulig med mye større cacheminne i mikroprosessorer, noe som fører til forbedret ytelse og redusert effektforbruk, sier Craig Sander, visepresident for teknologiutvikling i AMD, i en pressemelding.
