Den japanske næringslivsavisen Nikkei Asian Review kom i går med en nyhetsartikkel som bør leses med en viss skepsis, men som kan få stor betydning for morgendagens smartmobiler, nettbrett og datamaskiner generelt. Saken er sitert svært mange IT-nettsteder, i tillegg til nyhetsbyrået AFP.
Ifølge Nikkei Asian Review skal mer enn 20 japanske og amerikanske selskaper innen halvlederindustrien samarbeide om å utvikle en metode for masseproduksjon av MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), en flere ikke-flyktige minneteknologier som skal kunne utfordre dagens flyktige DRAM. Det finnes allerede selskaper som produserer MRAM, men foreløpig i relativt liten skala.
Nikkei Asian Review har ikke oppgitt noen kilder i saken. I artikkelen nevnes av virksomhetene som skal være med på samarbeidet, inkludert japanske Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics og Hitachi, samt amerikanske Micron Technology, men ingen av dem ser ut til å ha kunngjort noe i den sammenheng. Akkurat dette skurrer litt når man vet at Micron tidligere har forsket på MRAM, men har valgt dette bort til fordel for faseskiftminne.
_logo.svg.png){kind=logo}
Samarbeidsprosjektet skal ifølge Nikkei Asian Review ledes av Tetsuo Endoh, professor ved Tohoku-universitetet i Japan. Endoh er kjent blant annet for sin forskning innen ikke-flyktig minne. Men heller ikke han har uttalt seg i saken. Ifølge den japanske avisen skal Endoh få følge med et par dusin forskere fra det samme universitetet. Gruppen skal begynne arbeiet i februar neste år.
Beskrivelsen av MRAM som Nikkei Asian Review kommer med, er kanskje også litt for fantastisk til å være troverdig. Det opplyses at MRAM skal tilby ti ganger så mye kapasitet som DRAM, uten at det opplyses hva som menes med dette. Det opplyses også at man kan skrive til MRAM ti ganger raskere enn til DRAM, samt at effektbruken skal kunne reduseres med to tredeler. Det vises ikke til noen kilder for denne informasjonen, men for eksempel Everspin, som allerede lager MRAM, opplyser at MRAM er raskere enn DRAM og at effektbruken er lavere, først og fremst fordi dataene lagret i MRAM ikke behøver å oppfriskes jevnlig. Cellene skal kunne beholde verdien i minst 20 år.
MRAM er derfor i minst like stor grad en konkurrent til dagens flash-minne. Blant annet har MRAM den fordelen at det ikke slites ved bruk, noe som preger flash-minnet.
De japanske og amerikanske selskapene skal ifølge Nikkei Asian Review samarbeide om alle de grunnleggende detaljene, inkludert materialer og produksjonsprosess. Målet er å kunne binde det hele sammen innen mars 2017. Nikkei Asian Review skriver at Micron håper å kunne ta i bruk masseproduksjonsmetoden som skal utvikles av gruppen, i 2018.
Vi håper at noen av de angivelige deltakerne vil bekrefte det hele innen kort tid.
Les også:
- [25.07.2014] Stort framskritt for ny lagringsteknologi
- [06.08.2013] Crossbar vil erstatte flashminne med RRAM
- [28.09.2011] Ny teknologi kan utfordre flashminne
- [10.07.2006] Freescale først ute med MRAM-brikke
