Ny og energieffektiv byggestein fra Intel

I arbeidet med å lage raskere prosessorer, har Intels forskere utviklet en svært lovende transistor.

Intel melder at selskapets forskere i sin søken etter nye typer transistorer, har videreutviklet en tri-gate-transistor for masseproduksjon. Disse transistorene lover å gi store bedringer både i ytelse og i energiforbruk. Intel regner med at treports-teknologien vil bli den grunnleggende byggesteinen for framtidige mikroprosessorer i løpet av perioden for bruk av 45 nanometers prosessteknologi.

Intel skriver at flate transistorer har ble unnfanget på slutten av 1950-tallet, og at de har vært den grunnleggende byggesteinen helt siden halvlederindustriens begynnelse. Etter hvert som halvlederteknologien i stadig større grad tar i bruk nanoteknologi, det vil si komponenter som er mindre enn 100 nm, vil deler av transistorene bare bestå av noen få lag med atomer. Det som tidligere ble tenkt på som "flatt", designes nå i tre dimensjoner for å oppnå bedre karakteristikker for ytelse og effektforbruk. Intel skal ha utarbeidet en metode for å bruke disse tredimensjonale transistorene, sammen med andre sentrale halvlederteknologier, for å oppnå et helt nytt nivå av energieffektiv ytelse.

Det er spesielt den betydelig lavere lekkasjestrømmen og effektforbruket som gjør at Intel mener tri-gate-transistor vil være sentralt i selskapets framtidige halvlederprodukter.

    Les også:

Sammenlignet med dagens 65 nm-transistorer, skal integrerte, tri-gate-transistorer ifølge Intel kunne tilby 45 prosent økning i drivstrømmen (svitsjehastigheten), 50 prosent reduksjon i av-strømmen, og 35 prosent reduksjon i transistorens svitsjeeffekt.

Teknologien ble demonstrert under 2006 Symposium on VLSI Technology i Honolulu i går.

Intels teknologisjef, Justin Rattner, lovet nylig at man i løpet av fire til fem år vil kunne kjøpe prosessorer som har en ti ganger høyere ytelse enn det vi kan i dag, samtidig som strømforbruket reduseres til en tidel av dagens nivå.

Til toppen