FLASHMINNE

Nytt flashminne vil snart gi mye raskere SSD-er

Micron først med TLC NAND-brikker med mer enn 200 lag.

Tenkt SSD utstyrt med Microns nye 232-lags flashminnebrikker.
Tenkt SSD utstyrt med Microns nye 232-lags flashminnebrikker. Illustrasjon: Micron
Harald BrombachHarald BrombachNyhetsleder
28. juli 2022 - 08:09

Mange moderne SSD-er og andre flashminnebaserte lagringsenheter er basert på 3D NAND, altså brikker hvor cellene ikke bare befinner seg i ett lag, men er stablet oppå hverandre omtrent som en etasjene i en skyskraper. 

Fram til nå har 3D NAND-produktene på markedet hatt opptil 176 lag, men denne uken kunngjorde Micron at selskapet ikke bare har utviklet eller begynt å produsere, men faktisk nå kan tilby kundene 3D NAND-brikker med hele 232 lag med TLC-celler (Triple-Level Cell).

Fordelene med er verd å se nærmere på, men de kan kort oppsummeres med høyere ytelse, høyere lagringstetthet og bedre energieffektivitet. 

Mye raskere

I mange sammenhenger er ytelsen det viktigste. Micron hevder at de nye brikkene har den høyere NAND I/O-hastigheten i bransjen, 2,4 gigabyte per sekund, noe som skal være 50 prosent raskere enn det raskeste grensesnittet Micron tilbyr med dagens 176-lagsnoder. 

Det loves samtidig opptil dobbelt så høy skrivebåndbredde og mer enn 75 prosent høyere lesebåndbredde per flashminnebrikke enn det som nå er forrige generasjon. 

Microns nye, NAND-baserte flashminnebrikke har 232 lag i tillegg til kontrollogikken nederst. <i>Illustrasjon: Micron</i>
Microns nye, NAND-baserte flashminnebrikke har 232 lag i tillegg til kontrollogikken nederst. Illustrasjon: Micron

Dette er blant annet oppnådd ved brikkene er det første som er inndelt i så mye som seks separate lag, som kan lese uavhengig av hverandre. Ifølge Micron bidrar denne strukturen også blant annet til færre kollisjoner mellom lese- og skrivekommandoer. 

De nye brikkene skal være de første som støtter laveffekts datagrensesnittet NV-LPDDR4, som er en del av den temmelig nye ONFI 5.0-spesifikasjonen (Open NAND Flash Interface). Dette skal ifølge Micron bidra til at energien brukt ved overføring av hver bit med data reduseres med mer enn 30 prosent, sammenlignet med tidligere I/O-grensesnitt. 

Lagringstettheten i den nye brikkene er på 14,6 gigabit per kvadratmillimeter. Ifølge Micron gir dette en arealtetthet som er minst 35 prosent høyere enn det som finnes av konkurrerende produkter på markedet i dag. Brikken er pakket slik at den krever et areal på 11,5 x 13,5 millimeter. Dette er 28 prosent mindre areal enn Microns minste TLC NAND-brikker til nå. 

Hver brikke kan ifølge Micron romme opptil 1 terabit med data. 

Kommer snart i SSD-er

Micron har som nevnt allerede startet leveransene av disse brikkene til ulike kunder. Dette inkluderer også Crucial, som er Microns eget varemerke for SSD-er til forbrukermarkedet. Nettstedet Block and Files estimerer at de raskeste Crucial-SSD-ene vil kunne levere lesehastigheter på opptil 11,68 gigabyte per sekund, og skrivehastighet på opptil 10 gigabyte per sekund, når de baseres på de nye 232-lags NAND-brikkene. Det er nesten en dobling av hastighetene til dagens P5 Plus-SSD.

SSD-en Crucial P5 Plus. <i>Foto: Crucial</i>
SSD-en Crucial P5 Plus. Foto: Crucial

Ifølge The Register kan Microns nye brikker også være gode nyheter for deler av bedriftsmarkedet, ikke minst ved bruk i systemer som krever tilgang til data med minimal forsinkelse, slik som store databaser. 

–Billigere og mer kostnadseffektiv flash hjelper alle applikasjoner, men det gjør det unektelig mulig for database- og analysemiljøer å ha et større lag med kraftig, høy-ytelses flashlagring, sier Gartner-analytikeren Joe Unsworth til The Register. 

Nettstedet tar også opp et usikkerhetsmoment. TLC-baserte flashminneceller slites ut raskere enn dyrere og mindre kompakte celler som SLC og MLC, som lagrer færre bit per celle. 

Jo flere bit NAND-flashminne lagrer per celle, desto færre ganger kan cellene overskrives før de er utslitt. P/E står for Programme-Erase. <i>Illustrasjon: Kingston</i>
Jo flere bit NAND-flashminne lagrer per celle, desto færre ganger kan cellene overskrives før de er utslitt. P/E står for Programme-Erase. Illustrasjon: Kingston

Micron skal så langt ikke ha oppgitt informasjon om varigheten til de nye TLC NAND-brikkene.

Les også

Del
Kommentarer:
Du kan kommentere under fullt navn eller med kallenavn. Bruk BankID for automatisk oppretting av brukerkonto.