BEDRIFTSTEKNOLOGI

Samsung lover mye raskere dataminne – allerede nå

Beregnet for grafikkort og tunge servere.

AMD begynte å bruke High Bandwidth Memory i grafikkort allerede i fjor. Nå har Samsung startet masseproduksjon av en helt ny generasjon av teknologien.
AMD begynte å bruke High Bandwidth Memory i grafikkort allerede i fjor. Nå har Samsung startet masseproduksjon av en helt ny generasjon av teknologien. Bilde: AMD
Harald BrombachHarald BrombachNyhetsleder
20. jan. 2016 - 11:26

Det kommer stadig vekk nyheter om nye minneteknologier, men de fleste av dem vi i beste fall kunne kjøpes om noen år. Men i går kunngjorde Samsung at selskapet at det har startet masseproduksjonen av en type minne som ha en båndbredde som er mellom to og syv ganger høyere enn dagens raskeste DRAM-brikker.

HBM2

Noe av det som skal gjøre de nye minnepakkene så mye raskere, er at de tar i bruk den andre generasjonen av High Bandwidth Memory-grensesnittet (HBM2). Dette skal gjøre det mulig for DRAM-pakkene å ha båndbredde på 256 gigabyte per sekund, dobbelt så mye som slike pakker med forrige generasjon av grensesnittet.

HBM2-grensesnittet ble standardisert av JEDEC som så sent som for åtte dager siden. Forgjengeren er mer enn to år eldre, men ble først tatt i bruk av kommersielle produkter i fjor.

Men ifølge Samsung er ytelsesforbedringen langt større dersom man sammenlignet med den mer vanlige grafikkminnetypen – GDDR5. Ifølge selskapet har 4 gigabit GDDR5 DRAM-brikker en maksimal båndbredde på 36 gigabyte per sekund. Dermed skal de nye HBM2-pakkene være mer enn sju ganger så raske.

High Bandwidth Memory 2
HBM2-minnet har dobbelt så høy båndbredde som forrige generasjon av teknologien. I tillegg er minnekapasitet opptil åtte ganger så høy. Bilde: Samsung
 

Det at de nye minnepakkene fra Samsung også leverer dobbelt så mye båndbredde per watt som GDDR5-minne, trekker selvfølgelig også opp. Det gjør også støtte for ECC (Error-Correcting Code), som skal gi bedre pålitelighet.

Mye mindre plass

Samsung skal senere i år også begynne å produsere HBM2 DRAM-pakker med 8 gigabyte kapasitet. Disse skal ta mindre enn 1/20 så mye plass på et grafikkort som en tilsvarende mengde med GDDR5 DRAM.

Den nye minnetypen er basert på den samme TSV-teknologien (Through Silicon Via) som Samsung tok i bruk i visse DDR4-minnemoduler i oktober i fjor. En HBM2-pakken på 4 gigabyte består av et bufferlag i bunnen og fire minnebrikker, hver på 8 gigabit, som er stablet oppå dette.

Hvert av disse lagene har mer enn 5000 hull hvor brikkene kommuniserer med hverandre ved hjelp av elektroder.

Selv om avanserte grafikkort vil kunne ta i bruk nye HBM2-minnet, er ikke bruksområdene begrenset til dette. Samsung opplyser i en pressemelding at minnet også er beregnet for å bli brukt i tungregnemaskiner, avanserte nettverkssystemer og i store servere.

Det er ventet at også flere andre minneprodusenter, blant annet SK Hynix, vil starte masseproduksjon av HBM2-minne i løpet av noen måneder.

Del
Kommentarer:
Du kan kommentere under fullt navn eller med kallenavn. Bruk BankID for automatisk oppretting av brukerkonto.
Tekjobb
Se flere jobber
En tjeneste fra