Det statlige, taiwanske Nano Device Laboratories (NDL) kunngjorde denne uken at ser det har utviklet verden første fungerende SRAM-celle (Static Random Access Memory) med med 16 nanometers prosessteknologi. Minnecellen skal måle 0,039 kvadratmikrometer.
De fleste av dagens databrikker lages med 32 eller 45 nanometers teknologier, mens 22 og 28 nanometers teknologi fortsatt er under utvikling hos blant annet Intel og IBM.
Ifølge NDL vil 16 nm-teknologien på sikt kunne bety betydelig reduksjon av størrelsen på hovedkort og andre kretskort i bltant datamaskiner og mobiltelefoner. Dette vil igjen kunne føre til mindre og lettere enheter enn det som er mulig i dag. Samtidig skal brikker basert på den nye prosessteknologien ha lavere strømforbruk enn dagens tilsvarende brikker.
Til AFP sier laboratoriesjef Yang Fu-liang at 16 nanometer pleide å bli sett på som endelige grensen, men i pressemeldingen fra NDL oppgis det at teknikker som har blitt brukt for å lage minnecellen, en «maske- og fotoresist-fri nanoinjiserings-litografiteknikk», også vil kunne fungere med størrelser ned mot 5 nanometer.
Ifølge Digitimes ønsker NDL nå å inngå en allianse med selskapets ledende halvlederprodusenter for å videreutvikle teknologien. På listen over ønskede samarbeidspartnere står Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), United Microelectronics Corporation (UMC) og Macronix International Company (MXIC).
Les også:
- [01.02.2010] iPhone berget driften hos Toshiba
- [17.04.2009] IBM-allianse lover svært små databrikker
- [03.03.2009] AMD først med enda mindre grafikkbrikker
- [05.02.2009] Intel lover ny prosessteknologi allerede i år
- [10.12.2008] Intel nådde milepæl for raskere prosessorer
- [21.08.2008] IBM og AMD først med brikkemilepæl
- [07.07.2008] Intel ser klar bane mot langt mindre brikker
