Den amerikanske forskningsbedriften Nantero ble opprettet i 2001 av to unge menn med hver sin ferske Ph.D.-grad fra Harvard, Thomas Rueckes og Brent Segal. De slo seg sammen for å framstille dataminne av en ny type, kjent som NRAM for "nanotube-based nonvolatile RAM".
Prinsippet for denne type minne er svært enkelt. Du tar en skive vanlig silisium, og får noen milliarder nanorør av karbon til å henge fra den i en bestemt retning. Det gjøres ved å spre nanorør i et tynt lag over silisiumet, og så bruke vanlig halvlederetsing til å fjerne dem som ikke har den nødvendige retningen. Under nanorørene plasserer du enda en silisiumskive, slik at avstanden opp til den første skiven blir rundt 100 nanometer.
Hvert punkt på den nederste skiven kan nå betraktes som en minnecelle. Ved å underkaste punktet et elektrisk felt, trekkes noen dusin nanorør nedover og fester seg til skiven. Punkter der nanorør fester seg representerer informasjonsverdien "1", mens punkter der nanorør ikke fester seg, men fortsetter å henge fra den øverste skiven, representerer "0". En annen spenning kan tvinge de nedre nanorørene opp igjen. Spenning er bare nødvendig for å få nanorørene til å bytte stilling. Når spenningen forsvinner, blir nanorørene der de er. Avlesing skjer ved å måle hvorvidt punktet leder strøm eller ikke.
_logo.svg.png){kind=logo}
NRAM bevarer altså informasjon også når minnet ikke er under spenning. Fordi den øvre og den nedre skiven er standard silisium og kan manipuleres med tradisjonelle metoder for den kritiske første orienteringen av nanorørene, regner man med at NRAM ikke vil være spesielt krevende å produsere.
Nintero meldte i forrige uke at de hadde fått til en fungerende prototyp med 10 milliarder nanorør. Prototypens faktiske kapasitet er ikke oppgitt.
Tiden det tar å lese og skrive NRAM-minnet er heller ikke kjent. Selskapet opplyser at markedsklar NRAM vil kunne leses og skrives på rundt et halvt nanosekund, mot ti nanosekunder for dagens raskeste RAM-brikker. Tettheten vil kunne nå tusen milliarder biter per kvadratcentimeter, tusen ganger det man får til med dagens halvlederteknologi.
På nettstedet sitt opplyser Nintero at NRAM vil bli langt raskere og tettere enn DRAM, ha langt lavere strømforbruk enn DRAM og flash, bli like lett å overføre fra et apparat til et annet som flash, og være svært motstandsdyktig mot miljøkrefter som kulde, varme og magnetisme.
Selskapet ser for seg at NRAM erstatter alle andre typer minne og lagring, også harddisker. Vi vil få PC-er som starter umiddelbart, MP3-spillere med tusener av låter, PDA-er med 10 GB minne, raske og sikre servere og så videre.
Reaksjonene fra ekspertmiljøer virker stort sett positive, selv om det advares at Nantero har mange titalls konkurrenter med tilsvarende ideer. Nantero har imidlertid den fordelen at de antakelig er først ute med en prototyp. Hvis de realiserer de første markedsklare brikkene innen et års tid – slik de har sagt til fagpressen – kan det faktisk bli et spørsmål om få år før hele minneindustrien er snudd bokstavelig talt på hodet.
I Norge vil blant andre Opticom få sitt å tenke på.
