MASKINVARE

Vil redusere strømforbruket i transistorer med 85 prosent

IBM og Samsung samarbeider om ny halvlederteknologi som skal kunne gi enorm energibesparelse i forhold til dagens løsninger.

Waferer: VTFET - Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor er laget i testwafere
Waferer: VTFET - Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor er laget i testwafere CONNIE ZHOU

IBM og Samsung Electronics har sammen utviklet det de kaller en vertikal transistor som klarer seg med 15 prosent av den energien dagens transistorer trenger. Det vil i så fall være revolusjonerende.

Kommentarer:
Du kan kommentere under fullt navn eller med kallenavn. Bruk BankID for automatisk oppretting av brukerkonto.