maskinvare
Vil redusere strømforbruket i transistorer med 85 prosent
Waferer: VTFET - Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor er laget i testwafere CONNIE ZHOU
IBM og Samsung Electronics har sammen utviklet det de kaller en vertikal transistor som klarer seg med 15 prosent av den energien dagens transistorer trenger. Det vil i så fall være revolusjonerende.
Teknologirace i horisontalplanet
I dag blir transistorer etset ut av silisiumskiver. Her ligger de så å si side om side i det horisontale planet. Det betyr at de elektriske signalene også må bevege seg i det horisontale planet. Stadig mindre kretser er blitt mulig og de nye mobilprosessorene som Qualcomm og Samsung snart lanserer er basert på 4 nm strukturer. Hver generasjon har fått mer ytelse og lavere strømforbruk på grunn av denne krympingen.