4 mrd transistorer på én chip

Forskere fra Nagoya Institute of Technology i Japan har funnet ut at det i fremtidens prosessorer vil være mulig å kombinere optiske- med elektroniske kretser ved å forene silisium og gallium arsenid i samme leder.

Forskningsresultatet fra Nagoya Institute of Technology ble offentliggjort under den årlige International Elecronics Devices Meeting (IEDM) i San Fransisco. De japanske forskerne påviste at det er mulig å kombinere gallium arsenid (GaAs) med silisium i samme leder. Problemet tidligere har vært at krystallstrukturen i de to metallene var uforenlige. Dette problemet er nå løst, ved å legge ekstremt tynne lag med GaAs på toppen av silisiumet. Resultatet er oppsiktsvekkende i den forstand at det vil være mulig å kombinere optiske kretser i samme prosessor.

- Tidligere har man trodd at de to signaltypene var teknisk sett uforenlige. De nye resultatene viser at man i fremtiden kan slippe å lage adskilte kamre for optiske og elektroniske prosesser, sier Gary Dagistene, pressetalsmann for IEDM til digi:data. Han fremhever likevel at det er lang frem til en eventuell prototype.

- Foreløpig er dette bare et forskningsresultat. Det er usikkert hvorvidt denne teknologien i det hele tatt vil bli realisert, sier Dagistene.

Forøvrig ble det også presentert mer kommersielle resultater på møtet. Blant annet ble det lagt frem forskningsresultater som viste at det var mulig å forminske dagens silisiumtransistorer til 0,12 microner, som tilsvarer omtrent halvparten av størrelsen på dagens mest avanserte chips. Teknologien som benyttes er en krypton fluorid laser, som nærmest skriver transistorene på silisiumet. Mitsubishi Electric Corporation, som står bak oppdagelsen, hevder at man med denne teknologien vil kunne lage prosessorer som rommer 4 milliarder transistorer. Selskapet tror likevel ikke at dette lar seg realisere før i 2005.

Til toppen