De tre produsentene avtalte i april i 2002 å samarbeide i minst fem år om design og produksjon av halvledere og opprettet en felles forsknings- og utviklingsavdeling i Crolles i Frankrike. I går kunngjorde de en felles designplattform for CMOS-brikker etter en 90 nanometers prosess, som skal være industriens første.
Målet med den nye designplattformen er å legge grunnlaget for å utvikle integrerte brikker - med prosessor, minne og kommunikasjon - beregnet på å kombinere høy ytelse, lavt energi forbruk og trådløs kommunikasjon i apparater til personlig bruk og til forbrukermarkedet.
Partene mener dette er industriens første designplattform for 90 nanometers CMOS-brikker. Plattformen legger opp til porttettheter på over 400.000 per millimeter, spenninger fra 1,0 til 3,3 volt, og fra seks til ni metallag.
Neste milepæl er å framstille ferdige brikker i en 90 nanometers prosess på skiver med en diameter på 300 mm. Tidsfristen for dette er satt til utgangen av året. Alliansen tar ellers sikte på å kunne framstille brikker etter en 32 nanometers prosess i løpet av fem år. Den har sikret seg Taiwan Semiconductor Manufacturing Company som produksjonspartner.