I en pressemelding heter det at AMD og IBM sammen skal utvikle produksjonsprosesser som skal gjøre det mulig å forbedre ytelsen til mikroprosessorer og samtidig redusere strømforbruket. Det hele vil være basert på materialer som høyhastighets SOI-transistorer (silicon-on-insulator), kobberforgreninger og forbedret "low-k" dielektrisk isolasjon.
Avtalen inkluderer samarbeid om teknologier som implementerer portavstander på 65 og 45 nanometer brukt silisiumskiver med en diameter på 300 millimeter.
Ifølge Bill Siegle, forskningssjef i AMD, er målet å utvikle neste generasjon prosessorteknologier, siden 90-nanometers løsninger vil tas i bruk allerede mot slutten av 2003.
- Ved å samarbeid med en industrileder som IBM, kan AMD levere ytelse og funksjonalitet som ligger helt i front i industrien, samtidig som det reduserer det raskt økende kostnadene som er forbundet med teknologiutvikling, sier Siegle i en pressemelding.
De to selskapene vil hver for seg kunne ta i bruk de nye produksjonsteknikkene i sine egne produksjonsmiljøer. Selskapene forventer at de første produktene basert på de kommende 65 nanometers teknologiene vil komme i 2005.
