Fujitsu er først ute med volumproduksjon av ferroelektrisk minne – FRAM eller FeRAM («ferroelectric RAM») – i brikker på 2 Mb, går det fram av en pressemelding.
Brikkene kommer i to versjoner, som i det ytre er identiske med modellene de erstatter, som var på 1 Mb.
FeRAM trenger ikke å stå under spenning for å holde på data. Lesing og skriving krever spenning på 3 til 3,6 volt. Kretsene tåler 10 milliarder sykluser med lesing og skriving, tilsvarende 30 operasjoner per sekund i ti år. Uten batteri holdes data i ti år.
Fujitsus nye 2 Mb FeRAM-brikker har en aksesstid på 100 nanosekunder, og et lese/skrivesyklus krever 150 nanosekunder.
Disse enestående egenskapene gjør FeRAM spesielt egnet til anvendelser der minnekretsene ikke alltid kan stå under spenning, der man ikke kan tåle tap av data, og der data leses og skrives kontinuerlig. Eksempler er navigasjonssystemer, flerfunksjons skrivere, måleinstrumenter, automatiske logger, sikkerhetsinstrumenter og så videre.
I mange av disse anvendelsene brukes SRAM. Fujitsu mener at med brikker på 2 Mb, vil FeRAM markere seg sterkere, blant annet fordi FeRAM, i motsetning til SRAM, ikke er avhengig av et batteri for å holde på data.
