Intel melder at de har innledet volumproduksjon av en ny generasjon mobilminne etter arkitekturen StrataFlash Cellular Memory, også kjent som M18.
Den ny generasjonen avløser M18-brikkene som kom i volumproduksjon for nesten nøyaktig ett år siden.
I den nye generasjonen er produksjonsprosessen oppgradert fra 90 nanometer til 65 nanometer. Det gjør minnebrikkene både mindre og raskere: I forhold til i 90 nanometers brikkene er skrivehastigheten doblet til opptil 1,0 MB/s.
Den første volumproduksjonen omfatter de første monolittiske 1 Gb-minnebrikkene etter M18-arkitekturen. For å nå 1 Gb med forrige generasjon, måtte flere brikker stabler oppå hverandre.
Produsentene av mobiltelefoner vil kunne utnytte de nye brikkene til å gjøre apparatene enda slankere selv når internminnet økes, til å tilby rikere multimediafunksjoner, og til å redusere strømforbruket. Mens forrige generasjon minnebrikker kun håndterte kameraer på opptil 3 megapiksler, kan de nye brukes til opptil 4 megapiksler per bilde.
Intel samarbeider med STMicroelectronics om M18-arkitekturen. Blant de store kundene, er Sony Ericsson.
Les også:
- [18.11.2005] Intel lanserte raskere mobilminne
