Doblet kapasitet i nytt flashminne

Toshiba og SanDisk har utviklet flashminnebrikker med betydelig større lagringskapasitet enn dagens.

Toshiba og SanDisk har utviklet flashminnebrikker med betydelig større lagringskapasitet enn dagens.

Toshiba og SanDisk annonserte denne uken en NAND-basert flashminnebrikke med lagringskapasitet på 8 gigabits lagringskapasitet ved hjelp av 70 nm prosessteknologi. Dette gjør det mulig å lagre 1 gigabyte med data i en enkel brikke.

Det nye NAND-baserte flashminne tar i bruk MLC-teknologi, Multi-Level Cell, som gjør det mulig å lagre to bits med data i én eneste minnecelle. Dette dobler minnekapasiteten. Samtidig har selskapene greid å redusere plassbehovet, slik at brikkene basere er fem prosent større enn dagens 4 gigabits NAND-brikker basert på 90 nm prosessteknologi.

Den nye brikken måler 146 kvadratmillimeter og har tre milliarder transistorer per kvadratcentimeter.

Skrivehastigheten oppgis til å være 6 megabytes per sekund, mens lesehastigheten skal være 60 MB/s.

Selskapene regner med å starte produksjonen av den nye brikken i løpet av sommeren. Selskapene tror at den nye brikken vil bli deres nye "arbeidshest" innen produksjonen av flashminne-produkter, slik som flashminnebaserte lagringskort.

Selskapene oppgir ikke hvor stor kapasitet lagringskort basert på de nye brikkene kan få, men 16 GB bør i alle fall være innen rekkevidde.

Til toppen