IBM laget transistor på seks nanometer

IBM har framstilt en transistor på seks nanometer, en tidel av det minste i kommersiell produksjon i dag.

Transistoren vil bli nærmere presentert på IEEE-konferansen International Electron Devices Meeting som åpner i San Francisco i dag. Konferansen er et åsted for forskere og utviklere innen halvledere. Styreformann og gründer i Intel, Andy Grove, er invitert til å trekke opp hovedlinjene for hva industrien kan tenkes å få til de kommende årene.

IBMs forskere mener at 6 nanometers transistoren deres er en viktig milepæl, fordi den viser at det går å vinne enda en størrelsesorden nedover i miniatyrisering med en fungerende enhet i tradisjonelt halvledermateriale. Forutsatt at hindringer knyttet til strømforbruk, varmeutvikling og elektrisk interferens kan overvinnes, mener IBM at man langt på vei har vist at Moores lov vil kunnegjøres gjelden enda ett til halvannet tiår.

IBM mener også å ha vist at den nye transistoren, som det har tatt et år å framstille, vil kunne kombineres med en ny framstillingsteknologi kalt "strukket silisium" ("strained silicon"). Denne teknologien gir elektroniene større bevegelsesfrihet, med potensiell gevinst innen både ytelse og strømforbruk.

Les også

Både Intel og IBM har planer om å bruke "strukket silisium" i kommersielle prosessorer i løpet av 2003 eller 2004.

Det er ikke oppgitt noen data for når seks nanometers transistorer kan tenkes å settes sammen til fungerende brikker.

Til toppen