Intel kunngjorde i dag morges at de vil bygge et enormt 90 nanometers produksjonsanlegg for silisiumskiver («wafers») i 300 millimeter. Anlegget lokaliseres til byen Dalian, og skal være klar til produksjon i 2010. Det skal brukes til brikkesett for ulike typer datamaskiner og annet utstyr.
Opprinnelig var det meldt at anlegget ville være klar til produksjon i 2008. Flere observatører stilte seg tvilende til dette, dels på grunn av Kinas slette rykte med tanke på vern av teknologiske bedriftshemmeligheter, dels fordi prosjektet bryter med en langvarig praksis i Intel, dels fordi USAs regler for eksport av teknologi per i dag ikke lar amerikanske bedrifter etablere den typen avansert produksjon i Kina.
Les også:
- [21.03.2007] Eksport-kontroll kan stanse Intel i Kina
Å skyve datoen for igangsettelse av anlegget til 2010, svarer til, ifølge Intels toppsjef Paul Otellini, at det da vil være tillatt i henhold til amerikanske eksportregler, å etablere 90 nanometers halvlederproduksjon i Kina. Otellini sa han håpet på en regelendring, slik at Intel kan realisere anlegget med tanke på 65 nanometers produksjon.
I 2010 vil Intels mest avanserte produksjonsanlegg være i drift med 32 nanometers prosess.
Det nye anlegget øker Intels samlede investering i Kina til 4 milliarder dollar. Det blir Intels første i Asia til å produsere silisiumskiver. Det blir også den hittil største utenlandske teknologi-investeringen i Kina. I dag har Intel sju anlegg for produksjon av silisiumskiver, i USA, Irland og Israel.
