Intel og Micron avduket i går en ny, ikke-flyktig minneteknologi som har fått navnet 3D Xpoint. Selskapene er på ingen måte alene om å utvikle nye minneteknologier. Men i motsetning til konkurrentenes løsninger, er 3D Xpoint så godt som klar for produksjon. Utvalgte kunder vil kunne teste den ut i år, og både Intel og Micron skal tilby individuelle produkter i 2016.
Dermed kan selskapene ha rett når de hevder at dette er eller kommer til å bli den første nye minnekategorien på markedet siden NAND-basert flashminne ble introdusert i 1989.
Les om NRAM: Skal det være litt nanorør-basert minne?
_logo.svg.png){kind=logo}
Mye raskere enn flash
3D Xpoint-minnet er en mellomting mellom systemminnet (DRAM) man finner i blant annet pc-er, og flashbasert minne. Det skal være opptil tusen ganger så raskt som NAND-minne, ha opptil tusen ganger så høy bestandighet, samtidig som at det ti ganger mer kompakt enn DRAM.
Også prisen per gigabyte ventes å havne et sted mellom flash og DRAM, uten at selskapene har kommet med konkrete tall.
– Bransjen har i flere tiår prøvd å redusere forsinkelsen mellom prosessor og data for å muliggjøre mye raskere analyse. Denne nye minnekategorien oppnår dette målet, og introduserer banebrytende ytelse for minne- og lagringsløsninger, sier Rob Crooke, sjef for i Intels Non-Volatile Memory Solutions Group, i en pressemelding.
Les også: Crossbar vil erstatte flashminne med RRAM
Nærmere prosessoren
– Et av de største hindrene i moderne databehandling er tiden prosessoren bruker for å få tak i data som ligger på lagringsenheter. Denne nye minnekategorien er en revolusjonerende teknologi som åpner for rask tilgang til enorme datasett, og muliggjør helt nye applikasjoner, sier Mark Adams, president i Micron, i pressemeldingen.
Ifølge selskapene skaper den nye krysningspunktarkitekturen et tredimensjonalt sjakkbrett hvor minnecellene sitter i krysningspunktet mellom ordlinjer og bitlinjer.
Det gjør det mulig å få adressere hver eneste minnecelle direkte, i stedet for å måtte lese eller skrive hele blokker med data. Dette skal kunne bidra til raskere lese- og skriveoperasjoner.
Skjedde ikke: Vil erstatte flashminne innen 18 måneder
Transistorfritt
Minnecellene aksesseres og skrives til eller leses ved å variere spenningsstyrken som sendes til velgermoduler som sitter i hvert krysningspunkt, sammen med minnecellene. Dette eliminerer behovet for transistorer.
Den første generasjonen av teknologien består av en matrisestruktur med i alt 128 milliarder minneceller, hvor hver celle lagrer én bit med data. Til sammen altså 128 gigabit med data. Matrisestrukturen kan fordeles på flere stablede lag. I første omgang er det to lag som gjelder, men selskapene mener at både flere lag og høyere tetthet vil være mulig i framtidige generasjoner.
Fordi den nye minneteknologien i langt mindre grad enn flashminne blir degradert av bruken, kan den fungere både som lagringsplass og systemminne – riktignok med noe lenger aksesstid enn DRAM.
Selskapene mener at den nye minne-/lagringsteknologien vil åpne for helt nye muligheter, ved at prosessorer raskere kan få tilgang til store datamengder. Blant områdene som nevnes er maskinlæring, sanntidsovervåkning av sykdommer og naturtro dataspill med 8K-oppløsning.
Et opptak fra gårsdagens pressekonferanse om 3D Xpoint, finnes her.
Heller ikke i mål: – Åpner døren for spinnbaserte datamaskiner
