Intel har varslet en kunngjøring av sin nye brikkeproduksjonsteknologi i dag. I forkant av kunngjøringen, er detaljer lekket ut til amerikansk presse, i første omgang CNet og Wall Street Journal.
Det går fram av denne oversikten at Intel har investert 12,5 milliarder dollar i ny produksjonsteknologi de siste to årene. Det innebærer, ifølge Wall Street Journal, at selskapet satser sin framtid på bedre tider og ny vilje i næringslivet til å investere i IT-maskinvare. Tar Intel feil, og IT-innkjøperne setter seg på gjerdet ut 2003, kan selskapet oppleve en lang periode med smalhans og finansielle problemer.
De fleste av Intels konkurrenter konsentrerer seg enten om brikkedesign eller om brikkeproduksjon. Brikkedesignerne som AMD og Motorola setter ut produksjonen til spesialister i Sørøst-Asia. Intel tviholder med andre ord på en forretningsmodell som mange betrakter som avleggs.
Den nye produksjonsteknologien skal gi brikker - prosessorer, minnebrikker, integrerte brikker med alt fra prosessor, minne og nettverk - som er raskere, kraftigere, fysisk sett mindre og også rimeligere enn konkurrentenes.
Dette er hovedtrekkene i Intels nye produksjonsteknologi:
- Skivene som brikkene skjæres ut fra, får en diameter på 300 millimeter, mot tidligere 200 millimeter.
- Den minste kontrollerbare avstanden inne i komponentene reduseres fra 130 nanometer til 90 nanometer.
- En teknologi kalt "strained silicon" skal sørge for bedre ledningsevne der dette er påkrevet.
- Karbon og ikke silisium skal brukes til å bedre isolasjonen mellom transistorlagene inne i brikkene.
- Tall på transistorlag økes fra seks til sju.
Til sammen vil disse forbedringene gi langt høyere transistortetthet enn i dagens halvlederkomponenter. På et areal på ti ganger ti millimeter, vil det være plass til 330 millioner transistorer. En skive på 300 millimeter vil kunne gi brikker med til sammen 120 milliarder transistorer.
De større skivene senker omkostningene per brikke med minst 30 prosent, forutsatt at salgsprognosene slår til slik at brikkene kan produseres i tilstrekkelig volum.
Intels første 90 nanometers mikroprosessor blir Prescott, etterfølgeren til Pentium 4. Den skal settes i produksjon i annen halvdel av 2003. I 90 nanometers prosessen blir tykkelsen til portene som skiller de interne lagene i transistoren, redusert til fem atomer. Intel ser for seg at teknologien vil kunne strammes ned til 65 nanometer i 2005 og siden til 50 nanometer.
"Strained silicon" øker den interne ledningsevnen ved å øke avstanden mellom enkeltatomene. IBM og Motorola arbeider også med dette prinsippet. Intel regner med å være de første som "strekker silisium" i volumproduksjon. Ledningsevnen vil bedres med mellom ti og tjue prosent, mot en økning av produksjonskostnaden på to prosent, ifølge Intel.
Trass i de store endringene i produksjonsprosessen, regner Intel med å kunne beholde 75 prosent av det utstyret selskapet har i dag. Det innebærer raskere overgang til volumproduksjon etter de nye teknologiene.
