Lover større og billigere flashminne

Micron og Intel legger 50 prosent mer data i hver celle.

Intel og Micron kunngjorde i går at selskapet har utviklet NAND-basert flashminne med 25 nanometers prosessteknologi, hvor hver celle har tre bit (3bpc ). Dette skal lede til bransjens minste NAND-enheter og den høyeste lagringskapasiteten. De fleste flashminneceller i dag kan bare lagre én (single-level cell) eller to bit (multi-level cell) med data. Teknologien med tre bit per celle kalles også triple-level cell (TLC).

Dette skal redusere størrelsen på enhetene med mer enn 20 prosent, mens kapasiteten opprettholdes.

Prøveproduksjon er allerede i gang, og full produksjon ventes å bli igangsatt innen utgangen av året.

De nye 64 gigabit-enheten (8 gigabyte) skal åpne for USB- og SD-baserte minneprodukter som er mest kostnadseffektive og som har høyere kapasitet enn i dag. Flashminnebrikkene kan også brukes internt i blant annet konsumentelektronikk, for eksempel mobiltelefoner.

Microns Kevin Kilbuck med en silisiumskive som inneholder over hundre av de nye TLC flashminnebrikkene.
Microns Kevin Kilbuck med en silisiumskive som inneholder over hundre av de nye TLC flashminnebrikkene. Bilde: Micron
25 nanometers TLC flashminne fra IM Flash Technologies
25 nanometers TLC flashminne fra IM Flash Technologies Bilde: Intel

Brikkene er designet ved IM Flash Technologies, som eies av Intel og Micron i fellesskap. De skal bli tilgjengelige i sluttbrukerprodukter fra blant annet Lexar Media og Micron.

Til toppen