Intel og Micron kunngjorde i går at selskapet har utviklet NAND-basert flashminne med 25 nanometers prosessteknologi, hvor hver celle har tre bit (3bpc ). Dette skal lede til bransjens minste NAND-enheter og den høyeste lagringskapasiteten. De fleste flashminneceller i dag kan bare lagre én (single-level cell) eller to bit (multi-level cell) med data. Teknologien med tre bit per celle kalles også triple-level cell (TLC).
Dette skal redusere størrelsen på enhetene med mer enn 20 prosent, mens kapasiteten opprettholdes.
Prøveproduksjon er allerede i gang, og full produksjon ventes å bli igangsatt innen utgangen av året.
De nye 64 gigabit-enheten (8 gigabyte) skal åpne for USB- og SD-baserte minneprodukter som er mest kostnadseffektive og som har høyere kapasitet enn i dag. Flashminnebrikkene kan også brukes internt i blant annet konsumentelektronikk, for eksempel mobiltelefoner.
Brikkene er designet ved IM Flash Technologies, som eies av Intel og Micron i fellesskap. De skal bli tilgjengelige i sluttbrukerprodukter fra blant annet Lexar Media og Micron.
