FLASHMINNE

Nytt flashminne vil snart gi mye raskere SSD-er

Micron først med TLC NAND-brikker med mer enn 200 lag.

Tenkt SSD utstyrt med Microns nye 232-lags flashminnebrikker.
Tenkt SSD utstyrt med Microns nye 232-lags flashminnebrikker. Illustrasjon: Micron
Harald BrombachHarald BrombachJournalist
28. juli 2022 - 08:09

Mange moderne SSD-er og andre flashminnebaserte lagringsenheter er basert på 3D NAND, altså brikker hvor cellene ikke bare befinner seg i ett lag, men er stablet oppå hverandre omtrent som en etasjene i en skyskraper. 

Fram til nå har 3D NAND-produktene på markedet hatt opptil 176 lag, men denne uken kunngjorde Micron at selskapet ikke bare har utviklet eller begynt å produsere, men faktisk nå kan tilby kundene 3D NAND-brikker med hele 232 lag med TLC-celler (Triple-Level Cell).

Fordelene med er verd å se nærmere på, men de kan kort oppsummeres med høyere ytelse, høyere lagringstetthet og bedre energieffektivitet. 

Mye raskere

I mange sammenhenger er ytelsen det viktigste. Micron hevder at de nye brikkene har den høyere NAND I/O-hastigheten i bransjen, 2,4 gigabyte per sekund, noe som skal være 50 prosent raskere enn det raskeste grensesnittet Micron tilbyr med dagens 176-lagsnoder. 

Det loves samtidig opptil dobbelt så høy skrivebåndbredde og mer enn 75 prosent høyere lesebåndbredde per flashminnebrikke enn det som nå er forrige generasjon. 

Microns nye, NAND-baserte flashminnebrikke har 232 lag i tillegg til kontrollogikken nederst. <i>Illustrasjon: Micron</i>
Microns nye, NAND-baserte flashminnebrikke har 232 lag i tillegg til kontrollogikken nederst. Illustrasjon: Micron

Dette er blant annet oppnådd ved brikkene er det første som er inndelt i så mye som seks separate lag, som kan lese uavhengig av hverandre. Ifølge Micron bidrar denne strukturen også blant annet til færre kollisjoner mellom lese- og skrivekommandoer. 

De nye brikkene skal være de første som støtter laveffekts datagrensesnittet NV-LPDDR4, som er en del av den temmelig nye ONFI 5.0-spesifikasjonen (Open NAND Flash Interface). Dette skal ifølge Micron bidra til at energien brukt ved overføring av hver bit med data reduseres med mer enn 30 prosent, sammenlignet med tidligere I/O-grensesnitt. 

Lagringstettheten i den nye brikkene er på 14,6 gigabit per kvadratmillimeter. Ifølge Micron gir dette en arealtetthet som er minst 35 prosent høyere enn det som finnes av konkurrerende produkter på markedet i dag. Brikken er pakket slik at den krever et areal på 11,5 x 13,5 millimeter. Dette er 28 prosent mindre areal enn Microns minste TLC NAND-brikker til nå. 

Hver brikke kan ifølge Micron romme opptil 1 terabit med data. 

Kommer snart i SSD-er

Micron har som nevnt allerede startet leveransene av disse brikkene til ulike kunder. Dette inkluderer også Crucial, som er Microns eget varemerke for SSD-er til forbrukermarkedet. Nettstedet Block and Files estimerer at de raskeste Crucial-SSD-ene vil kunne levere lesehastigheter på opptil 11,68 gigabyte per sekund, og skrivehastighet på opptil 10 gigabyte per sekund, når de baseres på de nye 232-lags NAND-brikkene. Det er nesten en dobling av hastighetene til dagens P5 Plus-SSD.

SSD-en Crucial P5 Plus. <i>Foto: Crucial</i>
SSD-en Crucial P5 Plus. Foto: Crucial

Ifølge The Register kan Microns nye brikker også være gode nyheter for deler av bedriftsmarkedet, ikke minst ved bruk i systemer som krever tilgang til data med minimal forsinkelse, slik som store databaser. 

–Billigere og mer kostnadseffektiv flash hjelper alle applikasjoner, men det gjør det unektelig mulig for database- og analysemiljøer å ha et større lag med kraftig, høy-ytelses flashlagring, sier Gartner-analytikeren Joe Unsworth til The Register. 

Nettstedet tar også opp et usikkerhetsmoment. TLC-baserte flashminneceller slites ut raskere enn dyrere og mindre kompakte celler som SLC og MLC, som lagrer færre bit per celle. 

Jo flere bit NAND-flashminne lagrer per celle, desto færre ganger kan cellene overskrives før de er utslitt. P/E står for Programme-Erase. <i>Illustrasjon: Kingston</i>
Jo flere bit NAND-flashminne lagrer per celle, desto færre ganger kan cellene overskrives før de er utslitt. P/E står for Programme-Erase. Illustrasjon: Kingston

Micron skal så langt ikke ha oppgitt informasjon om varigheten til de nye TLC NAND-brikkene.

Les også

Del
Kommentarer:
Du kan kommentere under fullt navn eller med kallenavn. Bruk BankID for automatisk oppretting av brukerkonto.
Tekjobb
Se flere jobber
Tre jobbtilbud 10 måneder før masteravslutning!
Les mer
Tre jobbtilbud 10 måneder før masteravslutning!
Tekjobb
Få annonsen din her og nå frem til de beste kandidatene
Lag en bedriftsprofil
En tjeneste fra