Samsung annonserte i dag at selskapet har utviklet den første Mobile DRAM-brikken med kapasitet på én gigabit. Dette er gjort ved å benytte 80 nanometers prosessteknologi.
Den nye brikken, som også kalles lav-effekts DDR (Double Data Rate) eller synkron DRAM, skal ifølge Samsung være mer kostnadseffektiv enn andre, lignende løsninger. Bruksområdet til brikkene er ikke begrenset til mobiltelefoner. De skal også kunne brukes i digitale kameraer, bærbare mediespillere og håndholdte spillkonsoller.
Den nye, monolitikest DRAM-brikken skal ha 30 prosent lavere strømforbruk enn dagens «double-die stack»-løsning, samtidig som den bruker den samme innpakning som dagens løsning. Spesielt i standby-modus skal forbruket være lavere.
Samsungs nye brikke skal også være minst 20 prosent tynnere enn løsninger basert på 512 Mbit-brikker stablet oppå hverandre. Den nye brikken skal kunne pakkes slik at man får en enkelt pakke på inntil 2 gigabit kapasitet. Det skal også være mulig å kombinere de nye minnebrikkene med flash-minne i multibrikke-pakker.
Samsung mener at det vil bli økende etterspørsel etter mobile minnebrikker med kapasitet på 1 gigabit i 2007. Selskapet sikter derfor mot å starte masseproduksjon av den nye minnebrikken i løpet av andre kvartal 2007.
