Den koreanske giganten Samsung har kunngjort at de vil masseprodusere i flashminnebrikke med en kapasitet på én gigabit. Brikken ble satt i prøveproduksjon allerede i september i fjor. Selskapet regner med at brikken vil føre til at en rekke forbrukerapparater, fra digitale kameraer til MP3-spillere, får lavere priser og høyere kapasitet.
Brikken skal produseres etter en 120 nanometers prosess. Skrivehastigheten blir 70 prosent høyere enn for tidligere modeller, dels på grunn av en innebygget funksjon for mellomlagring. Lesehastigheten kan komme opp i 27 megabytes per sekund. Reaksjonstiden er 50 nanosekunder.
Ifølge EETimes ventes Hitachi å vise sine første gigatbit flashminnebrikker i oktober. Toshiba produserer allerede gigabit flashminne i en 160 nanometers prosess. Toshiba og Intel har hver sin teknologi for å lagre to biter informasjon per minnecelle.
Ifølge analyseselskapet Semico Research, ligger flashminnemarkedet an til to milliarder dollar i år og til en årsvekst på 80 prosent innen 2004.
