For å lese artikler må du være abonnent

50 kr for 5 uker

  • Full tilgang til TU.no og Digi.no
  • Artikkelarkiv helt tilbake til 1854
  • Eksklusive nyhetsbrev

Deretter 299 kr/mnd. Fornyes automatisk, avslutt når du vil.

PRØV OSS I 5 UKER

2990 kr / år

  • Full tilgang til TU.no og Digi.no
  • Artikkelarkiv helt tilbake til 1854
  • Eksklusive nyhetsbrev
  • Spar 598 kr

Fornyes automatisk til ordinær pris, avslutt når du vill.

BESTILL NÅ

Bedrift eller student?

  • Sjekk om du har tilgang via arbeidsgiver
  • Pristilbud til din bedrift
  • Innløs din gratis studenttilgang

Tilgang avhenger av avtalen med din arbeidsgiver eller ditt studiested.

LES MER HER

maskinvare

Vil redusere strømforbruket i transistorer med 85 prosent

Waferer: VTFET - Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor er laget i testwafere
Waferer: VTFET - Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor er laget i testwafere CONNIE ZHOU

IBM og Samsung Electronics har sammen utviklet det de kaller en vertikal transistor som klarer seg med 15 prosent av den energien dagens transistorer trenger. Det vil i så fall være revolusjonerende.

Teknologirace i horisontalplanet

I dag blir transistorer etset ut av silisiumskiver. Her ligger de så å si side om side i det horisontale planet. Det betyr at de elektriske signalene også må bevege seg i det horisontale planet. Stadig mindre kretser er blitt mulig og de nye mobilprosessorene som Qualcomm og Samsung snart lanserer er basert på 4 nm strukturer. Hver generasjon har fått mer ytelse og lavere strømforbruk på grunn av denne krympingen.

Powered by Labrador CMS