VTFET  

Vil redusere strømforbruket i transistorer med 85 prosent

IBM og Samsung samarbeider om ny halvlederteknologi som skal kunne gi enorm energibesparelse i forhold til dagens løsninger.

Waferer: VTFET - Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor er laget i testwafere
Waferer: VTFET - Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor er laget i testwafere (CONNIE ZHOU)

IBM og Samsung samarbeider om ny halvlederteknologi som skal kunne gi enorm energibesparelse i forhold til dagens løsninger.

IBM og Samsung Electronics har sammen utviklet det de kaller en vertikal transistor som klarer seg med 15 prosent av den energien dagens transistorer trenger. Det vil i så fall være revolusjonerende.

Til toppen