En trend i IT-industrien er at man aldri kan få for mye lagringsplass. Derfor forskes det stadig på å skaffe til veie lagringsløsninger som rommer mer enn tidligere, gjerne til en tilsvarende eller lavere pris.
Samsung skriver i en pressemelding denne uken at den maksimale lagringskapasiteten til flashminne-brikker nå er blitt doblet for syvende år på rad, siden 1 gigabit NAND-brikkene basert på 100 nanometers prosessteknologi ble utviklet i 2001.
Les også:
- [11.09.2006] Samsung lover flashminnekort på 64 GB
- [30.03.2006] Halvert pris på flashminne siden nyttår
Nå har selskapet utviklet en 64 gigabit NAND-brikke av typen MLC (Multi Level Cell) som er basert på 30 nanometers prosessteknologi. Ved å kombinere inntil 16 slike brikker, vil man kunne lage minnekort som rommer 128 gigabytes. Disse kan selges separat til for eksempel kameraer, eller integreres i alt fra multimediespillere til SSD-er (Solid State Drive) og hybride harddisker.
For å oppnå dette, har Samsung tatt i bruk en ny produksjonsprosess som kalles SaDPT (self-aligned double patterning technology). Teknologien skal fjerne en kritisk flaskehals knyttet til utformingen av 30 nm-kretser og mindre, ved i større grad å benytte tradisjonelle fotolitografiteknikker i produksjonsprosessen. Dette ventes å gjøre neste generasjons design i nanometer-skalaen mer kosteffektive, ved at det konvensjonelle utstyret kan benyttes.
Samsung forventer å kunne tilby de nye flashminnebrikkene kommersielt i løpet av 2009.
